聚變裝置以及中子發(fā)生器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811653433.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111091917B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111091917B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號(hào) | G21G4/02(2006.01)I;H05H3/06(2006.01)I;G21B1/11(2006.01)I | 分類 | 核物理；核工程; |
| 發(fā)明人 | 王宏彬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海宏澎能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 馬景輝 |
| 地址 | 201900上海市寶山區(qū)盤古路388號(hào)5號(hào)樓三樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開(kāi)涉及一種聚變裝置和中子發(fā)生器。一種慣性靜電約束型的聚變裝置，包括：陰極電極結(jié)構(gòu)，被構(gòu)造成限定發(fā)生核聚變碰撞的空間；以及陽(yáng)極電極結(jié)構(gòu)，被構(gòu)造成圍繞所述陰極電極結(jié)構(gòu)，其中所述陰極電極結(jié)構(gòu)涂覆有第一涂層，該第一涂層用于增強(qiáng)所述陰極電極結(jié)構(gòu)的熱發(fā)射率。?? |
