等離子束發(fā)生裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911363576.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113056083A 公開（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113056083A 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類號(hào) H05H1/46 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 曾憲俊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海宏澎能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 馬景輝
地址 201900 上海市寶山區(qū)盤古路388號(hào)5號(hào)樓三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種等離子束發(fā)生裝置。一種等離子束發(fā)生裝置，包括：等離子源；第一電源，為等離子源供電以產(chǎn)生等離子體；第一電極，具有孔；第二電源，在等離子源的負(fù)電極與第一電極之間產(chǎn)生第一電場(chǎng)，使得等離子體從孔穿過第一電極；第二電極，接收穿過第一電極的等離子體；第三電源，在第一電極與第二電極之間產(chǎn)生第二電場(chǎng)；真空室，容納所述等離子體；以及磁體，產(chǎn)生磁場(chǎng)，磁場(chǎng)將等離子體約束在真空室的中心軸附近，真空室包括沿等離子體中自由電子的行進(jìn)方向依次設(shè)置的第一腔室和第二腔室，磁體包括：第一磁體，在第一腔室中產(chǎn)生第一磁場(chǎng)；以及第二磁體，在第二腔室中產(chǎn)生第二磁場(chǎng)，第二磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度大于第一磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。