一種三維相變存儲(chǔ)器的制備方法及三維相變存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110390849.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113517311A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517311A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L27/24（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉峻;楊紅心;田寶毅;高王榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)江先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉戀;張穎玲
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)未來(lái)科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種三維相變存儲(chǔ)器的制備方法，包括：提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；采用一道刻蝕工藝，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成第一接觸件溝槽和第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記溝槽；生長(zhǎng)相變存儲(chǔ)堆疊材料層，形成位于所述第一接觸件溝槽中的第一接觸件和位于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記溝槽上方的凹陷，所述凹陷為第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。