一種硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110460771.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113517181A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517181A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L21/033（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐平;劉峻;鞠韶復(fù);李喆;田寶毅 申請（專利權(quán)）人 長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高天華;張穎玲
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)，用于自對準四重構(gòu)圖工藝，其特征在于，所述硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)包括：層疊設(shè)置的第一硬掩膜層、第一核心層和第二核心層，所述第一核心層位于所述第一硬掩膜層和所述第二核心層之間；其中，所述第一硬掩膜層包括無定形碳層，所述第一核心層和所述第二核心層均包括旋涂的含碳材料層。