三維存儲器及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110454675.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113517313A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517313A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L27/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱照遠(yuǎn);林天瑞;劉峻 申請（專利權(quán)）人 長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李路遙;張穎玲
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例公開了一種三維存儲器及其制造方法，所述方法包括：提供多個存儲單元，所述多個存儲單元之間形成有溝槽；所述溝槽的深寬比大于預(yù)設(shè)值；在所述溝槽內(nèi)沉積第一絕緣材料，形成第一絕緣層；對所述第一絕緣層進行第一刻蝕，以使形成有第一絕緣層的溝槽的頂部開口尺寸大于底部開口尺寸；在所述形成有第一絕緣層的溝槽內(nèi)沉積第二絕緣材料，形成第二絕緣層。