一種相變存儲器及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110413561.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113517396A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517396A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L45/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉廣宇;劉峻;楊海波;彭文林;匡睿;付志成 申請（專利權(quán)）人 長江先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高潔;張穎玲
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實(shí)施例公開了一種相變存儲器及其制造方法，所述相變存儲器包括：由下至上依次層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電線、相變存儲單元以及第二導(dǎo)電線；其中，所述第一導(dǎo)電線和所述第二導(dǎo)電線平行于同一平面且彼此垂直，所述相變存儲單元與所述第一導(dǎo)電線和第二導(dǎo)電線均垂直；所述相變存儲單元包括層疊設(shè)置的選通層和相變存儲層；所述相變存儲層包括多層相變材料層和位于所述相變材料層之間的導(dǎo)熱材料層。