三維相變存儲器器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180001588.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113454786A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113454786A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L27/24（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉峻 申請（專利權(quán)）人 長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責任公司
代理機構(gòu) 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 林錦輝;劉景峰
地址 430074湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種三維（3D）存儲器器件包括：多條位線，多條位線橫向延伸；公共板，公共板橫向延伸；多條字線，多條字線橫向延伸并且設置在多條位線與公共板之間；以及多個存儲器單元，每個存儲器單元設置在多條位線中的一條相應的位線與多條字線中的一條相應的字線的相交處。多個存儲器單元中的每一個包括：PCM結(jié)構(gòu)，PCM結(jié)構(gòu)位于相應的字線與公共板之間；以及選擇器，選擇器垂直延伸穿過相應的字線并且設置在PCM結(jié)構(gòu)與相應的位線之間。