一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110360005.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113517310A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517310A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L27/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張恒;劉峻;黃詩(shī)琪;彭首春;雷威鋒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)江先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李路遙;張穎玲
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)未來(lái)科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述半導(dǎo)體器件包括：第一堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一堆疊結(jié)構(gòu)包括第一地址線和存儲(chǔ)堆疊單元；所述第一堆疊結(jié)構(gòu)包括沿第二方向交替設(shè)置的第一間隙和第一功能結(jié)構(gòu)以及沿第二方向交替設(shè)置的第一間隙和第一非功能結(jié)構(gòu)；所述第一非功能結(jié)構(gòu)作為所述半導(dǎo)體器件的冗余結(jié)構(gòu)；所述第一非功能結(jié)構(gòu)中的部分被去除；填充層，設(shè)置于所述第一間隙中。