三維存儲(chǔ)器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110402635.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113517312A 公開（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517312A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L27/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉峻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)江先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉鶴;張穎玲
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)未來科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種三維存儲(chǔ)器及其制作方法，所述三維存儲(chǔ)器包括：至少一個(gè)存儲(chǔ)單元陣列塊；所述存儲(chǔ)單元陣列塊至少包括：層疊設(shè)置的第一地址線層、多個(gè)第一相變存儲(chǔ)單元以及第二地址線層；其中，第一地址線層與第二地址線層平行；所述第一地址線層包括多條均沿第一方向延伸的第一地址線；所述第二地址線層包括多條均沿第二方向延伸的第二地址線；所述第一方向與第二方向垂直；所述第一相變存儲(chǔ)單元與所述第一地址線和第二地址線均垂直；所述第一地址線沿第一方向的長(zhǎng)度與所述第二地址線沿第二方向的長(zhǎng)度基本相同，且所述第一地址線的電阻與所述第二地址線的電阻基本相同。