相變存儲器的制備方法、制備的控制方法以及相變存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110405089.X 申請日 -
公開(公告)號 CN113517395A 公開(公告)日 2021-10-19
申請公布號 CN113517395A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L45/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 駱金龍 申請(專利權)人 長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責任公司
代理機構(gòu) 北京派特恩知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 張李靜;張穎玲
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開實施例公開了一種相變存儲器的制備方法、制備的控制方法以及相變存儲器。所述相變存儲器的制備方法包括:形成覆蓋基底表面的第n個第一導電材料層;其中,n為自然數(shù);形成覆蓋第n個所述第一導電材料層的第n個第二導電材料層;在形成第n個所述第二導電材料層的同時,第n個所述第二導電材料層的組成粒子轟擊第n個所述第一導電材料層,以使至少部分第n個所述第一導電材料層的組成粒子進入所述基底內(nèi)并形成粘接層;其中,所述第一導電材料層與所述第二導電材料層的組成粒子相同;形成覆蓋所述第二導電材料層的相變存儲單元;其中,所述粘接層,用于增大所述第二導電材料層與所述基底之間的附著力。