相變存儲器的制備方法、制備的控制方法以及相變存儲器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110405089.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113517395A | 公開(公告)日 | 2021-10-19 |
申請公布號 | CN113517395A | 申請公布日 | 2021-10-19 |
分類號 | H01L45/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 駱金龍 | 申請(專利權)人 | 長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責任公司 |
代理機構(gòu) | 北京派特恩知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 張李靜;張穎玲 |
地址 | 430014湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本公開實施例公開了一種相變存儲器的制備方法、制備的控制方法以及相變存儲器。所述相變存儲器的制備方法包括:形成覆蓋基底表面的第n個第一導電材料層;其中,n為自然數(shù);形成覆蓋第n個所述第一導電材料層的第n個第二導電材料層;在形成第n個所述第二導電材料層的同時,第n個所述第二導電材料層的組成粒子轟擊第n個所述第一導電材料層,以使至少部分第n個所述第一導電材料層的組成粒子進入所述基底內(nèi)并形成粘接層;其中,所述第一導電材料層與所述第二導電材料層的組成粒子相同;形成覆蓋所述第二導電材料層的相變存儲單元;其中,所述粘接層,用于增大所述第二導電材料層與所述基底之間的附著力。 |
