一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法及設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110220767.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102408112A 公開（公告）日 2012-04-11
申請公布號 CN102408112A 申請公布日 2012-04-11
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 譚毅;劉應(yīng)寬;盛之林;李佳艷;石爽;劉振遠(yuǎn);董偉;姜大川 申請（專利權(quán)）人 寧夏寧電光伏材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 大連星海專利事務(wù)所 代理人 于忠晶
地址 116024 遼寧省大連市高新園區(qū)凌工路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法，第一步備料及預(yù)處理；第二步形成高純硅襯底：然后開啟電子束束流為200-500mA完全熔化高純硅料，緩慢降低束流為零，即在水冷坩堝中形成高純多晶硅錠，調(diào)節(jié)電子束束流為150-300mA熔化高純多晶硅錠，2-5min后形成一層高純硅襯底；第三步熔煉提純：高磷硅料連續(xù)緩慢落入熔池中，加大束流至300-700mA，高磷硅料熔化后形成高磷硅液，雜質(zhì)磷得到去除后從導(dǎo)流口流入坩堝之中，得到低磷硅液，凝固后得到低磷的多晶硅錠。本發(fā)明方法提純效果好，工藝簡單，節(jié)約能源，降低污染，適合批量生產(chǎn)，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，構(gòu)思獨(dú)特，操作簡單，成本低，可實(shí)現(xiàn)連續(xù)熔煉。