一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法及設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110220767.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102408112A 公開（公告）日 2012-04-11
申請公布號 CN102408112A 申請公布日 2012-04-11
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機化學;
發(fā)明人 譚毅;劉應寬;盛之林;李佳艷;石爽;劉振遠;董偉;姜大川 申請（專利權）人 寧夏寧電光伏材料有限公司
代理機構 大連星海專利事務所 代理人 于忠晶
地址 116024 遼寧省大連市高新園區(qū)凌工路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法，第一步備料及預處理；第二步形成高純硅襯底：然后開啟電子束束流為200-500mA完全熔化高純硅料，緩慢降低束流為零，即在水冷坩堝中形成高純多晶硅錠，調節(jié)電子束束流為150-300mA熔化高純多晶硅錠，2-5min后形成一層高純硅襯底；第三步熔煉提純：高磷硅料連續(xù)緩慢落入熔池中，加大束流至300-700mA，高磷硅料熔化后形成高磷硅液，雜質磷得到去除后從導流口流入坩堝之中，得到低磷硅液，凝固后得到低磷的多晶硅錠。本發(fā)明方法提純效果好，工藝簡單，節(jié)約能源，降低污染，適合批量生產，設備結構簡單，構思獨特，操作簡單，成本低，可實現連續(xù)熔煉。