超低導(dǎo)通電阻分離柵MOSFET器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020289948.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211295111U | 公開（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211295111U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-18 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉鋒;殷允超;劉秀梅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇捷捷微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江蘇捷捷微電子股份有限公司 |
| 地址 | 226200江蘇省南通市啟東科技創(chuàng)業(yè)園興龍路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及超低導(dǎo)通電阻分離柵MOSFET器件，在N外延層內(nèi)設(shè)有包圍溝槽的Al4Si合金晶粒層，在溝槽的下段槽體內(nèi)設(shè)有場(chǎng)氧層，在場(chǎng)氧層內(nèi)設(shè)有屏蔽柵導(dǎo)電多晶硅，在溝槽的上段槽體內(nèi)設(shè)有柵極導(dǎo)電多晶硅與柵氧層，柵極導(dǎo)電多晶硅位于柵氧層內(nèi)；在介質(zhì)層、N+源區(qū)與P阱區(qū)上開設(shè)有接觸孔，接觸孔從介質(zhì)層的上表面向下穿透介質(zhì)層、N+源區(qū)并最后進(jìn)入P阱區(qū)內(nèi)，在接觸孔內(nèi)設(shè)有接觸條，接觸條的上端部與發(fā)射極金屬相連，接觸條與N+源區(qū)以及P阱區(qū)歐姆接觸，且接觸條的寬度自上而下逐漸縮小。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，本實(shí)用新型提供的器件在正向?qū)〞r(shí)可以大大降低導(dǎo)通電阻；本實(shí)用新型的制造方法步驟較少且簡單易行。?? |
