一種高靜電防護能力的溝槽MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011602651.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112802837A 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN112802837A 申請公布日 2021-05-14
分類號 H01L27/02;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鋒;周祥瑞;殷允超 申請（專利權）人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
代理機構 北京科家知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 宮建華
地址 226200 江蘇省南通市啟東市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)錢塘江路3000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高靜電防護能力的溝槽MOSFET器件，包括有源區(qū)、柵電極區(qū)及環(huán)繞有源區(qū)和柵電極區(qū)的終端保護區(qū)，柵電極區(qū)包括ESD靜電保護區(qū)，ESD靜電保護區(qū)連續(xù)環(huán)繞設置在柵電極區(qū)的邊緣；ESD靜電保護區(qū)包括第一導電類型漂移區(qū)、位于第一導電類型漂移區(qū)下方且鄰接的第一導電類型襯底及位于第一導電類型漂移區(qū)內(nèi)的第二導電類型阱區(qū)，第二導電類型阱區(qū)上方設有絕緣氧化層，在絕緣介質層上設有連續(xù)螺旋環(huán)繞的PN結組，連續(xù)螺旋環(huán)繞的PN結組設于柵極金屬和源極金屬之間；本發(fā)明通過在柵電極區(qū)設置ESD靜電防護結構，且ESD防護結構采用連續(xù)環(huán)繞設置的PN結組，這樣能加長柵極和源極間的PN結組的長度，進而可大大增加溝槽MOSFET的ESD防護能力，提升器件的可靠性。