一種高靜電防護(hù)能力的溝槽MOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011602651.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112802837A 公開（公告）日 2021-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN112802837A 申請(qǐng)公布日 2021-05-14
分類號(hào) H01L27/02;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鋒;周祥瑞;殷允超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科家知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宮建華
地址 226200 江蘇省南通市啟東市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)錢塘江路3000號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高靜電防護(hù)能力的溝槽MOSFET器件，包括有源區(qū)、柵電極區(qū)及環(huán)繞有源區(qū)和柵電極區(qū)的終端保護(hù)區(qū)，柵電極區(qū)包括ESD靜電保護(hù)區(qū)，ESD靜電保護(hù)區(qū)連續(xù)環(huán)繞設(shè)置在柵電極區(qū)的邊緣；ESD靜電保護(hù)區(qū)包括第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、位于第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)下方且鄰接的第一導(dǎo)電類型襯底及位于第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，第二導(dǎo)電類型阱區(qū)上方設(shè)有絕緣氧化層，在絕緣介質(zhì)層上設(shè)有連續(xù)螺旋環(huán)繞的PN結(jié)組，連續(xù)螺旋環(huán)繞的PN結(jié)組設(shè)于柵極金屬和源極金屬之間；本發(fā)明通過在柵電極區(qū)設(shè)置ESD靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，且ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)采用連續(xù)環(huán)繞設(shè)置的PN結(jié)組，這樣能加長(zhǎng)柵極和源極間的PN結(jié)組的長(zhǎng)度，進(jìn)而可大大增加溝槽MOSFET的ESD防護(hù)能力，提升器件的可靠性。