一種溝槽MOSFET器件的終端結構及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011598537.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112635548A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112635548A 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鋒;周祥瑞;劉秀梅 申請（專利權）人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
代理機構 北京科家知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 宮建華
地址 226200 江蘇省南通市啟東市經濟開發(fā)區(qū)錢塘江路3000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種溝槽MOSFET器件的終端結構，包括終端保護區(qū)，終端保護區(qū)包括第一導電類型襯底及位于第一導電類型襯底上的第一導電類型漂移區(qū)，其特征在于，在終端保護區(qū)，第一導電類型漂移區(qū)內設有與元胞區(qū)鄰接的過渡區(qū)溝槽、位于終端保護區(qū)邊緣的截止溝槽，過渡區(qū)溝槽和截止溝槽間設有緩變結第二導電類型阱區(qū)，緩變結第二導電類型阱區(qū)上覆蓋有絕緣介質，絕緣介質上覆蓋有源極金屬，源極金屬穿過絕緣介質與緩變結第二導電類型阱區(qū)歐姆接觸；本發(fā)明通過改進終端結構，采用緩變結第二導電類型阱區(qū)來進行分壓，不僅能提高器件的耐壓能力，且能減小終端的寬度，增大有源區(qū)的面積，進而降低器件導通電阻，提升了整個器件的可靠性。