一種溝槽MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011598537.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112635548A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112635548A 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鋒;周祥瑞;劉秀梅 申請（專利權(quán)）人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京科家知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宮建華
地址 226200 江蘇省南通市啟東市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)錢塘江路3000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種溝槽MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，包括終端保護(hù)區(qū)，終端保護(hù)區(qū)包括第一導(dǎo)電類型襯底及位于第一導(dǎo)電類型襯底上的第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)，其特征在于，在終端保護(hù)區(qū)，第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)內(nèi)設(shè)有與元胞區(qū)鄰接的過渡區(qū)溝槽、位于終端保護(hù)區(qū)邊緣的截止溝槽，過渡區(qū)溝槽和截止溝槽間設(shè)有緩變結(jié)第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，緩變結(jié)第二導(dǎo)電類型阱區(qū)上覆蓋有絕緣介質(zhì)，絕緣介質(zhì)上覆蓋有源極金屬，源極金屬穿過絕緣介質(zhì)與緩變結(jié)第二導(dǎo)電類型阱區(qū)歐姆接觸；本發(fā)明通過改進(jìn)終端結(jié)構(gòu)，采用緩變結(jié)第二導(dǎo)電類型阱區(qū)來進(jìn)行分壓，不僅能提高器件的耐壓能力，且能減小終端的寬度，增大有源區(qū)的面積，進(jìn)而降低器件導(dǎo)通電阻，提升了整個器件的可靠性。