一種單向可控硅芯片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110363301.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113097299A 公開（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113097299A 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類號(hào) H01L29/74（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/332（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王成森;錢清友;張思潔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 榮穎佳
地址 226200江蘇省南通市啟東市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)錢塘江路3000號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 提供本發(fā)明公開了一種單向可控硅芯片及其制造方法，芯片包括盆形陰極區(qū)、陽(yáng)極區(qū)、長(zhǎng)基區(qū)、盆形短基區(qū)、環(huán)形門極、陽(yáng)極、陰極、表面鈍化膜，制造方法包括以下步驟：硅單晶片選擇；硅片拋光；氧化；雙面光刻陰極區(qū)對(duì)通隔離窗口；磷予沉積；雙面光刻短基區(qū)對(duì)通窗口；離子注入鋁；去膠；對(duì)通擴(kuò)散；光刻正面陽(yáng)極區(qū)窗口和背面短基區(qū)窗口；雙面離子注入硼；雙面推結(jié)；去除背面氧化層；背面陰極區(qū)擴(kuò)散；光刻引線孔；正面蒸鍍鋁膜；反刻鋁電極：用反刻版進(jìn)行光刻；合金；背面噴砂；背面蒸鍍電極；芯片測(cè)試；鋸片；包裝。本發(fā)明具有器件底板直接安裝在散熱器上并接地，且具有低熱阻的優(yōu)點(diǎn)；同時(shí)克服了封裝過程中底部焊料與短基區(qū)短路的風(fēng)險(xiǎn)。