降低開關損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010317951.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111430464A 公開（公告）日 2020-07-17
申請公布號 CN111430464A 申請公布日 2020-07-17
分類號 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 分類 -
發(fā)明人 劉秀梅;殷允超;周祥瑞;劉鋒 申請（專利權）人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
代理機構 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） 代理人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
地址 226200 江蘇省南通市啟東科技創(chuàng)業(yè)園興龍路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種降低開關損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法，它包括第一導電類型襯底、第一導電類型外延層、溝槽、第二導電類型體區(qū)、第一導電類型源區(qū)、絕緣介質層、柵極金屬、源極金屬、控制柵多晶硅、柵氧化層、分離柵多晶硅、介質隔離腔與漏極金屬，所述分離柵多晶硅的體積小于控制柵多晶硅的體積，且所述分離柵多晶硅與控制柵多晶硅之間的介質隔離腔的厚度大于柵氧化層的厚度。本發(fā)明降低了開關損耗、解決了IGSS漏電過大的問題，本發(fā)明能提高溝槽底部的拐角處的耐壓能力并可精確調節(jié)輸入電容Ciss和輸出電容Coss的大小。本發(fā)明的制造工藝均與已廣泛使用的半導體制造技術工藝兼容，利于推廣和批量生產。