降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020602285.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211578762U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211578762U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-25 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉秀梅;殷允超;周祥瑞;劉鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇捷捷微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江蘇捷捷微電子股份有限公司 |
| 地址 | 226200江蘇省南通市啟東科技創(chuàng)業(yè)園興龍路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件，它包括第一導(dǎo)電類型襯底、第一導(dǎo)電類型外延層、溝槽、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、第一導(dǎo)電類型源區(qū)、絕緣介質(zhì)層、柵極金屬、源極金屬、控制柵多晶硅、柵氧化層、分離柵多晶硅、介質(zhì)隔離腔與漏極金屬，所述分離柵多晶硅的體積小于控制柵多晶硅的體積，且所述分離柵多晶硅與控制柵多晶硅之間的介質(zhì)隔離腔的厚度大于柵氧化層的厚度。本實(shí)用新型降低了開(kāi)關(guān)損耗、解決了IGSS漏電過(guò)大的問(wèn)題，本實(shí)用新型能提高溝槽底部的拐角處的耐壓能力并可精確調(diào)節(jié)輸入電容Ciss和輸出電容Coss的大小。本實(shí)用新型的制造工藝均與已廣泛使用的半導(dǎo)體制造技術(shù)工藝兼容，利于推廣和批量生產(chǎn)。?? |
