一種倒裝GaN功率器件封裝結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020113811236 申請日 -
公開（公告）號 CN112289752A 公開（公告）日 2021-01-29
申請公布號 CN112289752A 申請公布日 2021-01-29
分類號 H01L23/14(2006.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王其龍;徐洋;施嘉穎;楊凱鋒;顧紅霞 申請（專利權）人 江蘇捷捷微電子股份有限公司
代理機構 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 226200江蘇省南通市啟東科技創(chuàng)業(yè)園興龍路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種倒裝GaN功率器件封裝結構，包括陶瓷基板，陶瓷基板表面下沉有開槽，開槽的槽體形狀呈倒“凹”型，開槽槽體底部和陶瓷基板背部覆有銅層，倒”凹”型槽體的上部中間涂覆有絕緣漆，絕緣漆層的長邊兩側和正面銅層之間開有V槽，倒”凹”形槽體的下部和長邊一側正面銅層各點上焊錫膏，V槽外側正面銅層上，遠離絕緣漆的一側通過焊錫膏倒裝貼附有芯片，倒”凹”型槽體的下部通過焊錫膏和引線框架腳架焊接區(qū)進行焊接。保證芯片在倒扣的狀態(tài)下安全焊接，對引線框架有定位作用，保證框架在焊接過程中不會出現(xiàn)滑移現(xiàn)象。??