一種新型DFN封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202022197666.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212967685U | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請公布號 | CN212967685U | 申請公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙于豪;賈東慶;郭玉兵 | 申請（專利權(quán)）人 | 常州銀河世紀微電子股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 常州市科誼專利代理事務所 | 代理人 | 何歡歡 |
| 地址 | 213022江蘇省常州市新北區(qū)長江北路19號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種新型DFN封裝結(jié)構(gòu)，包括框架本體，所述框架本體的兩側(cè)邊沿設置有引腳，所述框架本體的中部設置有一塊大基島，所述框架本體的四角分別設置有四塊小基島，所述大基島的縱向兩端分別通過縱向連接筋與框架本體的邊沿相連，所述小基島的縱向一端通過縱向連接筋與框架本體的邊沿相連，所述小基島的橫向一端通過橫向連接筋與框架本體的邊沿相連，所述縱向連接筋與引腳為一體化結(jié)構(gòu)。本實用新型將原有產(chǎn)品中間兩個基島連成一個大基島，不僅可以封裝尺寸更大的芯片提升產(chǎn)品的整體常規(guī)、極限能力，增加了基島面積從而增大了熱傳導能力，功率效能穩(wěn)步提升。?? |
