利用硅納米顆粒制備高純多晶硅的方法及裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200910098050.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN101559945A | 公開(kāi)(公告)日 | 2009-10-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN101559945A | 申請(qǐng)公布日 | 2009-10-21 |
分類(lèi)號(hào) | C01B33/021(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 皮孝東;楊德仁;韓慶榮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 蘇州匯智真空科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 胡紅娟 |
地址 | 310027浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種利用硅納米顆粒制備高純多晶硅的方法,使硅納米顆粒從原料腔進(jìn)入熔化腔,加熱熔化腔內(nèi)的硅納米顆粒使其熔融形成硅熔體,硅熔體從熔化腔流出后冷卻凝固成塊狀多晶硅。本發(fā)明還公開(kāi)了實(shí)施該方法的裝置包括帶有真空管路接口的殼體,殼體內(nèi)設(shè)有:帶有進(jìn)口和出口的熔化腔,用于對(duì)熔化腔內(nèi)物料加熱的加熱裝置;和位于熔化腔出口下方的收集裝置。本發(fā)明技術(shù)方案在保證多晶硅料的純度的情況下,顯著降低多晶硅料的制備成本;不僅可以制備多晶硅料,而且可以把傳統(tǒng)上分離的多晶硅料制備和多晶硅鑄造集成起來(lái),顯著地簡(jiǎn)化工藝,提高生產(chǎn)效率。 |
