半導(dǎo)體處理裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123013544.6 申請日 -
公開（公告）號 CN216793620U 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN216793620U 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫子瑛 申請（專利權(quán)）人 無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州簡理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 214000江蘇省無錫市新區(qū)震澤路18號國家軟件園3期鯨魚座A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體處理裝置，其包括：第一腔室部；可相對于第一腔室部在打開位置和關(guān)閉位置之間移動的第二腔室部，其中在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關(guān)閉位置時(shí)，第一腔室部和第二腔室部之間形成有微腔室，半導(dǎo)體晶圓能夠容納于所述微腔室內(nèi)，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述打開位置時(shí)，所述半導(dǎo)體晶圓能夠被取出或放入；第一腔室部和第二腔室部中的至少一個(gè)包括主體部以及嵌入部，所述主體部的面向所述微腔室的表面上形成有嵌合槽，所述嵌入部嵌入所述嵌合槽內(nèi)與所述主體部形成一個(gè)整體。這樣，所述嵌入部由于加工溫度和工作溫度的不同而導(dǎo)致的變形誤差會被大幅度的減小，從而提高半導(dǎo)體處理裝置的精度。