半導(dǎo)體處理裝置、半導(dǎo)體處理系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122229939.3 申請日 -
公開（公告）號 CN216389314U 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN216389314U 申請公布日 2022-04-26
分類號 H01L21/687（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/68（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫子瑛 申請（專利權(quán)）人 無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州簡理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 龐聰雅
地址 214000江蘇省無錫市新區(qū)震澤路18號國家軟件園3期鯨魚座A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體處理裝置，其包括含具有支撐晶圓的第一支撐區(qū)的下腔室，具有第二支撐區(qū)的上腔室以及第一支撐區(qū)、第二支撐區(qū)及其邊緣區(qū)域形成的第一通道。上腔室與下腔室閉合，使得晶圓被放置在第一支撐區(qū)和第二支撐區(qū)之間。第一通道提供第一空間來流動(dòng)一種或多種化學(xué)流體用于腐蝕晶圓邊緣區(qū)域。上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圓的邊緣外端并使晶圓的中心軸與第二支撐區(qū)的中心軸對齊。本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)對半導(dǎo)體晶圓外緣的處理。