一種提高硅電容壓力傳感器過載能力的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910010195.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101476960B 公開（公告）日 2010-08-18
申請公布號 CN101476960B 申請公布日 2010-08-18
分類號 G01L9/12(2006.01)I;G01L1/14(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張治國;李穎;張娜;匡石;劉劍 申請（專利權(quán)）人 浙江中感傳感器科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽科威專利代理有限責(zé)任公司 代理人 沈陽儀表科學(xué)研究院;浙江中感傳感器科技有限公司;沈陽儀表科學(xué)研究院有限公司
地址 110043 遼寧省沈陽市大東區(qū)北海街242號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高硅電容壓力傳感器過載能力的方法，采用陽極鍵合工藝，其特征在于玻璃的上固定極板(1)、玻璃的下固定極板(3)相對內(nèi)側(cè)腐蝕區(qū)預(yù)留出限位點(8)，硅中心極板(2)的可動電極(6)與限位點(8)之間有金屬電極(9)；在傳感器的量程工作范圍內(nèi)，可動電極(6)不會碰到限位點(8)，當(dāng)外加工作壓力超過正常量程后，可動電極(6)由于位移加大，會與限位點(8)接觸，此時存在于所述各極板之間的兩電容C1、C1發(fā)生相應(yīng)的變化，實現(xiàn)對外加壓力的測量；如果外加壓力再增加，則可動電極(6)被限位點(8)抵住而不再移動，實現(xiàn)了對可動電極(6)的過載限位保護(hù)。本發(fā)明既保證了過載時傳感器不被壓力損壞，同時又滿足調(diào)整靈敏度和過載限位保護(hù)的矛盾要求。