量子點發(fā)光二極管及其制備方法、發(fā)光單元和顯示屏
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011628253.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114765247A | 公開(公告)日 | 2022-07-19 |
申請公布號 | CN114765247A | 申請公布日 | 2022-07-19 |
分類號 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G09G3/3208(2016.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳開敏 | 申請(專利權)人 | TCL科技集團股份有限公司 |
代理機構 | 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 516006廣東省惠州市仲愷高新區(qū)惠風三路17號TCL科技大廈 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請涉及顯示技術領域,提供了一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法、發(fā)光單元和顯示屏。上述量子點發(fā)光二極管中,電子注入層和量子點發(fā)光層之間設有一層附加電極層,陰極層和附加電極層之間設有第二驅動電路,這樣在工作過程中,可以控制第二驅動電路與量子點發(fā)光二極管的第一驅動電路交替工作,將量子點發(fā)光層和電子注入層在第一驅動電路工作時積累的電子在第二驅動電路工作時進行轉移,能夠達到消除量子點發(fā)光二極管中各層結構所積累的電子的目的,減弱多余電子對量子點發(fā)光二極管性能及器件組分的持續(xù)破壞,達到提升量子點發(fā)光二極管使用壽命的效果。 |
