MOSFET驅動保護電路和開關電源系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111020048.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113726316A 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN113726316A 申請公布日 2021-11-30
分類號 H03K17/081（2006.01）I;H03K17/082（2006.01）I;H02M1/32（2007.01）I;H02M3/156（2006.01）I;H02M3/158（2006.01）I;H02M1/08（2006.01）I;H02M1/088（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 劉輝;董永剛;吳丹 申請（專利權）人 深圳中科樂普醫(yī)療技術有限公司
代理機構 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 白雪瑾;彭家恩
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道陽光社區(qū)松白路1002號百旺信工業(yè)園9棟405
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MOSFET驅動保護電路和開關電源系統(tǒng)，所述MOSFET驅動保護電路包括電流變化率調(diào)整電路、第一過電壓保護電路、第二過電壓保護電路和電流采樣電路，電流變化率調(diào)整電路用于限制驅動信號接入端與功率管的控制極之間的電流變化，以免功率管的控制極在過高的電流變化作用下而引起誤導通；第一過電壓保護電路用于限制功率管的控制極與功率管的第二極之間的電壓，保護功率管不會被擊穿；第二過電壓保護電路用于限制功率管的第一極和功率管的第二極之間的電壓，避免功率管的第一極和第二極之間出現(xiàn)尖峰電壓而損壞功率管；電流采樣電路用于獲取功率管輸出電流并輸出至控制器，以使控制器能夠對功率管的驅動信號的大小進行調(diào)整，避免功率管因過流而被燒壞。