一種集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011013819.3 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112234058A 公開(公告)日 2021-01-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN112234058A 申請(qǐng)公布日 2021-01-15
分類號(hào) H01L27/02;H01L27/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請(qǐng)(專利權(quán))人 蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)(有限合伙)
代理機(jī)構(gòu) 北京邦創(chuàng)至誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 張宇鋒
地址 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科技產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓104-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件,所述SiC MOSFET器件從邊緣向中心依次包括劃片槽區(qū)和終端區(qū)、p+主環(huán)、在所述p+主環(huán)上的柵跑道和源跑道、由多個(gè)原胞結(jié)構(gòu)并聯(lián)組成的有源區(qū)以及所述有源區(qū)上的源和柵的壓塊金屬;其特征在于,所述柵跑道和所述源跑道之間集成了兩個(gè)或多個(gè)反向串聯(lián)的多晶硅pn二極管結(jié)構(gòu),作為器件的柵保護(hù)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過在芯片上集成柵保護(hù)器件,當(dāng)器件的柵極電壓超過最大允許電壓時(shí),柵保護(hù)器件發(fā)生擊穿,使柵源電壓鉗位在最大允許的電壓,保護(hù)了MOS柵介質(zhì)避免承受高的電壓。