一種SiC IGBT器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010994010.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112216694A 公開（公告）日 2021-01-12
申請公布號 CN112216694A 申請公布日 2021-01-12
分類號 H01L27/06;H01L29/739;H01L21/82;H01L23/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請（專利權）人 蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 張宇鋒
地址 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科技產(chǎn)業(yè)園1號樓104-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種SiC IGBT器件及其制備方法。本發(fā)明提供的SiC IGBT器件通過在器件的表面設置肖特基二極管結(jié)構，并且在器件背面形成交替設置的N+區(qū)與P+區(qū)，使器件在進行續(xù)流工作時，正面的MPS二極管（嵌入pn結(jié)構的肖特基二極管）的電流將通過N+區(qū)形成導電通路，從而實現(xiàn)集成續(xù)流二極管的功能。