一種SiC IGBT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022074292.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213459736U 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN213459736U 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L27/06;H01L29/739;H01L21/82;H01L23/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請（專利權(quán)）人 蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構(gòu) 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張宇鋒
地址 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號樓1804層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供的SiCIGBT器件從下至上依次為集電極、P+層、N+層、N?電阻層、場終止層、N?漂移層、N載流子儲存層、P基區(qū)、N型JFET區(qū)、歐姆接觸、柵極、肖特基接觸和發(fā)射極，器件背面N+層與P+層之間形成交替設(shè)置的N+區(qū)與P+區(qū)；器件正面形成MPS肖特基二極管結(jié)構(gòu)；器件在進行續(xù)流工作時，MPS肖特基二極管結(jié)構(gòu)的電流將通過背面的N+區(qū)形成導(dǎo)電通路，以集成續(xù)流二極管。本申請通過在器件的表面設(shè)置肖特基二極管結(jié)構(gòu)，并且在器件背面形成交替設(shè)置的N+區(qū)與P+區(qū)，使器件在進行續(xù)流工作時，正面的MPS二極管(嵌入公開號結(jié)構(gòu)的肖特基二極管)的電流將通過N+區(qū)形成導(dǎo)電通路，從而實現(xiàn)集成續(xù)流二極管的功能。