一種集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022112680.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213212164U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213212164U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-14 |
| 分類號(hào) | H01L27/02;H01L27/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 倪煒江 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京邦創(chuàng)至誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張宇鋒 |
| 地址 | 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號(hào)樓1804層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiCMOSFET器件，所述SiCMOSFET器件從邊緣向中心依次包括劃片槽區(qū)和終端區(qū)、p+主環(huán)、在所述p+主環(huán)上的柵跑道和源跑道、由多個(gè)原胞結(jié)構(gòu)并聯(lián)組成的有源區(qū)以及所述有源區(qū)上的源和柵的壓塊金屬；其特征在于，所述柵跑道和所述源跑道之間集成了兩個(gè)或多個(gè)反向串聯(lián)的多晶硅公開(kāi)號(hào)二極管結(jié)構(gòu)，作為器件的柵保護(hù)結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型通過(guò)在芯片上集成柵保護(hù)器件，當(dāng)器件的柵極電壓超過(guò)最大允許電壓時(shí)，柵保護(hù)器件發(fā)生擊穿，使柵源電壓鉗位在最大允許的電壓，保護(hù)了MOS柵介質(zhì)避免承受高的電壓。 |
