一種結(jié)型場效應(yīng)晶體管器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011245808.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112289855A 公開（公告）日 2021-01-29
申請公布號 CN112289855A 申請公布日 2021-01-29
分類號 H01L29/45;H01L29/80;H01L21/335;H01L29/16;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請（專利權(quán)）人 蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鐘雪
地址 241000 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號樓1804
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種結(jié)型場效應(yīng)晶體管器件，所述器件包括：Ⅰ－導(dǎo)電型漂移層；Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)，形成于Ⅰ－導(dǎo)電型漂移層內(nèi)，中間位置的Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)的深度低于兩側(cè)的Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)；柵極歐姆接觸區(qū)，形成于中間位置的Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)上，源極歐姆接觸區(qū)，形成于兩側(cè)的Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)上；在Ⅰ－導(dǎo)電型為n－導(dǎo)電型時，Ⅱ+導(dǎo)電型即為p+導(dǎo)電型，在Ⅰ－導(dǎo)電型為p－導(dǎo)電型時，Ⅱ+導(dǎo)電型即為n+導(dǎo)電型。器件的柵極位于相鄰的兩個源極之間，并且柵極的Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)比源極的Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)更淺，使得器件的雪崩發(fā)生在源極的Ⅱ+導(dǎo)電型區(qū)。雪崩電流直接通過源極而不經(jīng)過柵極，保護了柵極驅(qū)動電路。同時器件為平面結(jié)構(gòu)，制作簡單。