一種帶有保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022073374.X 申請日 -
公開（公告）號 CN213212163U 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN213212163U 申請公布日 2021-05-14
分類號 H01L27/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請（專利權(quán)）人 蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張宇鋒
地址 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號樓1804層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種帶有保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiCMOSFET器件，所述SiCMOSFET器件從邊緣向中心依次包括終端區(qū)和劃片槽區(qū)、p+主環(huán)、在所述p+主環(huán)上的柵跑道和源跑道、由多個原胞結(jié)構(gòu)并聯(lián)組成的有源區(qū)以及所述有源區(qū)上的源和柵的壓塊金屬；所述柵跑道和所述源跑道之間集成了兩個反向串聯(lián)的肖特基二極管結(jié)構(gòu)，作為器件的保護(hù)結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型通過在芯片上集成溫度保護(hù)結(jié)構(gòu)，當(dāng)器件的結(jié)溫超過一定溫度時能夠觸發(fā)保護(hù)結(jié)構(gòu)，降低甚至短路器件的柵源電壓，關(guān)斷器件，從而保護(hù)了器件和電路。