MOSFET晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022128933.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213459746U 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN213459746U 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請（專利權(quán)）人 蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 北京知帆遠(yuǎn)景知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 崔建鋒
地址 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號樓1804層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種MOSFET晶體管，MOSFET晶體管包括：襯底；緩沖層；漂移區(qū)；摻雜基區(qū)；帽層；多個(gè)溝槽；多個(gè)溝槽自帽層一側(cè)向襯底一側(cè)延伸，并延伸至漂移區(qū)內(nèi)；多個(gè)重?fù)诫s區(qū)，重?fù)诫s區(qū)位于漂移區(qū)內(nèi)且位于溝槽的底部，第一金屬層，第一金屬層覆蓋部分臺(tái)面、溝槽的部分底部以及和部分底部相連的側(cè)壁；柵介質(zhì)層以及柵極；第一電極和第二電極；MOSFET晶體管中具有第一原胞區(qū)和第二原胞區(qū)。由此，通過設(shè)置溝槽、第一原胞區(qū)和第二原胞區(qū)，實(shí)現(xiàn)了重?fù)诫s區(qū)對溝槽柵的電場屏蔽，實(shí)現(xiàn)了摻雜基區(qū)與第二電極的電連接，同時(shí)也反并聯(lián)了肖特基二極管，在不影響原胞尺寸的基礎(chǔ)上，可以降低MOSFET晶體管的制備難度，可以降低MOSFET晶體管的生產(chǎn)成本，還可以降低MOSFET晶體管導(dǎo)通電阻。