粉石英礦加工立方碳化硅晶須的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610607230.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106087061A 公開（公告）日 2016-11-09
申請公布號 CN106087061A 申請公布日 2016-11-09
分類號 C30B29/36(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B1/02(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉少林;李志文;吳恩寧;黃榮權(quán);易新林 申請（專利權(quán)）人 武漢拓普準(zhǔn)晶新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京酷愛智慧知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李志文;武漢拓普準(zhǔn)晶新材料有限公司
地址 341000 江西省贛州市信豐縣明陽北路建設(shè)小區(qū)26號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及粉石英礦加工立方碳化硅晶須的方法，包括：將粉石英礦與水混合，并調(diào)節(jié)pH值到7.8～8.3，然后加入分散劑，沉淀，過濾，取濾出液；將濾出液離心分離，以得到離心液；將離心液烘干以得到粉石英精礦，向粉石英精礦中加入碳粉，進(jìn)行微波碳化處理后冷卻至室溫，以得到立方碳化硅微粉；將立方碳化硅微粉放入中頻感應(yīng)加熱爐中，加熱至1800℃～2000℃，反應(yīng)6h～10h，以制得立方碳化硅晶須。根據(jù)本發(fā)明的粉石英礦加工立方碳化硅晶須的方法，反應(yīng)完全，雜質(zhì)含量大大減少，立方碳化硅的產(chǎn)率和純度都有大幅度的提高，同時加工方法簡單，利于大規(guī)模制備立方碳化硅。