一種基于Angelov模型的GaN晶體管建模方法及其裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010910109.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112069759A | 公開（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112069759A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-11 |
| 分類號(hào) | G06F30/367(2020.01)I | 分類 | 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 唐瑜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州英嘉通半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 蘇州英嘉通半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市相城區(qū)青龍港路66號(hào)領(lǐng)寓商務(wù)廣場(chǎng)706室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種基于Angelov模型的GaN晶體管建模方法及其裝置，通過獲取向GaN晶體管的漏極施加的漏極電壓、向GaN晶體管的柵極施加的柵極電壓、以及各漏極電壓下與不同柵極電壓一一對(duì)應(yīng)的電流測(cè)量值；根據(jù)漏極電壓、柵極電壓和所述電流測(cè)量值，獲取各漏極電壓下的實(shí)際跨導(dǎo)曲線；基于GaN晶體管的Angelov模型，獲取各漏極電壓下的擬合跨導(dǎo)曲線；根據(jù)各漏極電壓下的實(shí)際跨導(dǎo)曲線與擬合跨導(dǎo)曲線的差值，建立表格基模型；根據(jù)GaN晶體管的Anglov模型與表格基模型，建立GaN晶體管的仿真模型。本發(fā)明實(shí)施例能夠提高電路設(shè)計(jì)的效率和準(zhǔn)確性。?? |
