一種基于Angelov模型的GaN晶體管建模方法及其裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010910109.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112069759A 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN112069759A 申請公布日 2020-12-11
分類號 G06F30/367(2020.01)I 分類 計算；推算；計數;
發(fā)明人 唐瑜 申請（專利權）人 蘇州英嘉通半導體有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 蘇州英嘉通半導體有限公司
地址 215000江蘇省蘇州市相城區(qū)青龍港路66號領寓商務廣場706室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種基于Angelov模型的GaN晶體管建模方法及其裝置，通過獲取向GaN晶體管的漏極施加的漏極電壓、向GaN晶體管的柵極施加的柵極電壓、以及各漏極電壓下與不同柵極電壓一一對應的電流測量值；根據漏極電壓、柵極電壓和所述電流測量值，獲取各漏極電壓下的實際跨導曲線；基于GaN晶體管的Angelov模型，獲取各漏極電壓下的擬合跨導曲線；根據各漏極電壓下的實際跨導曲線與擬合跨導曲線的差值，建立表格基模型；根據GaN晶體管的Anglov模型與表格基模型，建立GaN晶體管的仿真模型。本發(fā)明實施例能夠提高電路設計的效率和準確性。??