暴露絕緣體上硅器件有源區(qū)的方法、應(yīng)用和失效分析方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111237524.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113675083A 公開（公告）日 2021-11-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113675083A 申請(qǐng)公布日 2021-11-19
分類號(hào) H01L21/311;H01L21/3213;C30B29/06;C30B33/10;G01N23/04;G01N23/207;G01N23/2251 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 白紅梅;鄭朝暉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江山季豐電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉建榮
地址 324199 浙江省衢州市江山市文教西路15號(hào)科技孵化中心5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種暴露絕緣體上硅器件有源區(qū)的方法、應(yīng)用和失效分析方法，涉及有源區(qū)失效分析技術(shù)領(lǐng)域。該暴露絕緣體上硅器件有源區(qū)的方法，針對(duì)有源區(qū)下方深埋有氧化層的這種具有特定結(jié)構(gòu)的絕緣體上硅器件，先去除金屬層之后采用特定組成的第一腐蝕液于特定時(shí)間內(nèi)去除多晶硅層，然后將接觸孔層去除，最后再將氮化硅層和絕緣氧化硅層去除，從而使得有源區(qū)完全暴露。上述方法避免了采用現(xiàn)有去層方法導(dǎo)致深埋氧化層與硅襯底產(chǎn)生分離的問題，打破了目前絕緣體上硅器件無法去層至有源區(qū)的空白，使得有源區(qū)可以完全且完好的暴露，對(duì)后續(xù)于有源區(qū)的失效分析提供了前提條件。本發(fā)明還提供了上述暴露絕緣體上硅器件有源區(qū)的方法的應(yīng)用和失效分析方法。