一種磁控濺射蒸發(fā)雙系統(tǒng)卷繞真空鍍膜機及其鍍膜工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010927773.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111962037A 公開（公告）日 2020-11-20
申請公布號 CN111962037A 申請公布日 2020-11-20
分類號 C23C14/35;C23C14/24;C23C14/14;C23C14/56 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林衛(wèi)良 申請（專利權(quán)）人 溫嶺市華航電子科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 代理人 吳秉中
地址 317500 浙江省臺州市溫嶺市大溪鎮(zhèn)高田村一級公路北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁控濺射蒸發(fā)雙系統(tǒng)卷繞真空鍍膜機及其鍍膜工藝，屬于鍍金屬膜設備技術(shù)領域。它解決了現(xiàn)有不同的金屬靶材其濺射出的靶材原子在各個靶材表面沉積的問題。本磁控濺射蒸發(fā)雙系統(tǒng)卷繞真空鍍膜機，包括真空室以及設置于真空室內(nèi)的卷繞系統(tǒng)、濺射源和蒸發(fā)爐，卷繞系統(tǒng)包含有至少為兩個的鍍膜鼓，且相鄰兩鍍膜鼓之間設置有起隔離作用的真空腔，真空腔內(nèi)的真空度大于真空室的真空度，每個鍍膜鼓對應一種濺射源，真空室內(nèi)位于鍍膜鼓的側(cè)方設置有蒸發(fā)爐。本發(fā)明具有可以有效防止濺射靶材之間發(fā)生相互干擾的優(yōu)點，且該工藝可以配合濺射和熱蒸發(fā)多重鍍膜。