磁控濺射蒸發(fā)雙系統(tǒng)卷繞真空鍍膜機(jī)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021929128.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213172559U 公開(kāi)（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN213172559U 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類號(hào) C23C14/56;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/14;C23C14/16 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林衛(wèi)良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 溫嶺市華航電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州浙科專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳秉中
地址 317500 浙江省臺(tái)州市溫嶺市大溪鎮(zhèn)高田村一級(jí)公路北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁控濺射蒸發(fā)雙系統(tǒng)卷繞真空鍍膜機(jī)，屬于鍍金屬膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。它解決了現(xiàn)有不同的金屬靶材其濺射出的靶材原子在各個(gè)靶材表面沉積的問(wèn)題。本磁控濺射蒸發(fā)雙系統(tǒng)卷繞真空鍍膜機(jī)，包括真空室以及設(shè)置于真空室內(nèi)的卷繞系統(tǒng)、濺射源和蒸發(fā)爐，卷繞系統(tǒng)包含有至少為兩個(gè)的鍍膜鼓，且相鄰兩鍍膜鼓之間設(shè)置有起隔離作用的真空腔，真空腔內(nèi)的真空度大于真空室的真空度，每個(gè)鍍膜鼓對(duì)應(yīng)一種濺射源，真空室內(nèi)位于鍍膜鼓的側(cè)方設(shè)置有蒸發(fā)爐。本發(fā)明具有可以有效防止濺射靶材之間發(fā)生相互干擾的優(yōu)點(diǎn)。