一種提高熱釋電單晶芯片性能的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011554094.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114659644A 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN114659644A 申請公布日 2022-06-24
分類號 G01J5/35（2022.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 陳建偉;朱榮峰;羅豪甦;焦杰;趙靜;王西安;徐海清;林迪;朱莉莉;狄文寧;梁柱;魯麗 申請（專利權(quán)）人 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
代理機構(gòu) 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 200050上海市長寧區(qū)定西路1295號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提高熱釋電單晶芯片性能的方法，包括：（1）將熱釋電單晶芯片進行第一次退火處理；（2）將第一次退火處理后的熱釋電單晶芯片在低頻、弱電場下進行交流電場老化處理、第二次退火處理和直流極化處理，以提高熱釋電單晶芯片性能。