一種能夠迅速冷卻的SiC生長坩堝平臺

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620383916.4 申請日 -
公開（公告）號 CN205711034U 公開（公告）日 2016-11-23
申請公布號 CN205711034U 申請公布日 2016-11-23
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 宗艷民 申請（專利權(quán)）人 中信銀行股份有限公司濟南分行
代理機構(gòu) 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 代理人 山東天岳晶體材料有限公司;山東天岳先進材料科技有限公司
地址 250118 山東省濟南市槐蔭區(qū)美里湖美里路中段
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N新型的SiC生長坩堝平臺，該裝置通過螺栓將兩塊石墨平臺連接在一起，并將坩堝固定于兩塊石墨平臺之間，當石墨受熱膨脹時，由于螺栓的固定，石墨平臺不會發(fā)生位置平移，從而保障了坩堝位置的穩(wěn)定性。另外，在兩塊石墨平臺相對的一側(cè)，在每個石墨平臺上設(shè)有一個半圓，兩個半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套，坩堝正好放置于該加熱套內(nèi)，使得坩堝受熱均勻，避免了坩堝內(nèi)由于局部過熱而對產(chǎn)品造成影響，也避免了坩堝內(nèi)由于局部受不到熱，而對能源造成浪費。為了加速石墨及坩堝的溫度降低，在石墨塊和坩堝的地下設(shè)置冷水管，冷水管盤繞在石墨塊底端，當需要冷卻時，可以通入冷卻水，水將熱量帶走，從而使得坩堝的溫度迅速降下來。