一種能夠迅速冷卻的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201620383916.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN205711034U 公開（公告）日 2016-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN205711034U 申請(qǐng)公布日 2016-11-23
分類號(hào) C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 宗艷民 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中信銀行股份有限公司濟(jì)南分行
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 代理人 山東天岳晶體材料有限公司;山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司
地址 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)美里湖美里路中段
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N新型的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)，該裝置通過(guò)螺栓將兩塊石墨平臺(tái)連接在一起，并將坩堝固定于兩塊石墨平臺(tái)之間，當(dāng)石墨受熱膨脹時(shí)，由于螺栓的固定，石墨平臺(tái)不會(huì)發(fā)生位置平移，從而保障了坩堝位置的穩(wěn)定性。另外，在兩塊石墨平臺(tái)相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)石墨平臺(tái)上設(shè)有一個(gè)半圓，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套，坩堝正好放置于該加熱套內(nèi)，使得坩堝受熱均勻，避免了坩堝內(nèi)由于局部過(guò)熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩堝內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。為了加速石墨及坩堝的溫度降低，在石墨塊和坩堝的地下設(shè)置冷水管，冷水管盤繞在石墨塊底端，當(dāng)需要冷卻時(shí)，可以通入冷卻水，水將熱量帶走，從而使得坩堝的溫度迅速降下來(lái)。