一種碳化硅外延反應(yīng)室源氣進(jìn)氣過(guò)渡部件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022046710.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN213624472U | 公開（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213624472U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-06 |
| 分類號(hào) | C30B29/36（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李凱希;張澤康;馮淦;趙建輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 張松亭 |
| 地址 | 361000福建省廈門市翔安區(qū)翔星路98號(hào)（火炬高新產(chǎn)業(yè)園育成中心）強(qiáng)業(yè)樓803室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種碳化硅外延反應(yīng)室源氣進(jìn)氣過(guò)渡部件，由于第一本體和第二本體相嵌合配合，由于淀積生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量高溫的附屬物粉塵和顆粒吸附在源氣進(jìn)氣過(guò)渡部件內(nèi)，因此，當(dāng)位于后端的第二本體淀積的粉塵和顆粒較厚時(shí)，可僅更換第二本體，使用更加方便且降低了成本；且，由于第一隔板和第二隔板可分別在第一本體和第二本體內(nèi)活動(dòng)，可根據(jù)實(shí)際需要隨時(shí)調(diào)整第一隔板和第二隔板的位置進(jìn)而調(diào)整第一通道和第二通道的流量以使工藝氣體在進(jìn)入反應(yīng)室時(shí)可混合的更加均勻。同時(shí)，第一定位組件可定位第一隔板與第一本體，第二定位組件可定位第二隔板和第二本體，穩(wěn)定性更好，第一隔板和第二隔板不會(huì)由于氣流的大小進(jìn)行晃動(dòng)或移位。 |
