一種外延薄膜生長(zhǎng)承載盤

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022770695.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213925129U 公開（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN213925129U 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉杰;馮淦;趙建輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小勤
地址 361001福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號(hào)建業(yè)樓B座一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種外延薄膜生長(zhǎng)承載盤，包括圓盤，所述圓盤上表面設(shè)置環(huán)形凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)內(nèi)環(huán)，所述內(nèi)環(huán)與所述圓盤可拆卸地連接；所述圓盤的外周設(shè)置環(huán)形凸起，所述凸起的外沿套接外環(huán)，所述外環(huán)的外沿與所述圓盤的外沿平齊。所述外延薄膜生長(zhǎng)承載盤可以通過增加或者去除內(nèi)環(huán)，使得承載盤厚度發(fā)生改變，從而達(dá)到調(diào)整晶片表面溫場(chǎng)分布的效果，控制方法簡(jiǎn)便，普通操作者皆可以掌握，便于推廣運(yùn)用，尤其適用于碳化硅外沿薄膜的制備。