一種碳化硅外延生長(zhǎng)的控制方法及碳化硅外延片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011344467.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112466745B 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112466745B 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃海林;馮淦;趙建輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小勤
地址 361001福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號(hào)建業(yè)樓B座一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅外延生長(zhǎng)的控制方法及碳化硅外延片，所述控制方法包括：將碳化硅襯底放入充滿氫氣的反應(yīng)室，進(jìn)行刻蝕；對(duì)反應(yīng)室加熱通入生長(zhǎng)源，進(jìn)行第一外延生長(zhǎng)；停止通入氫氣，將反應(yīng)室內(nèi)的剩余氣體排出反應(yīng)室，只向反應(yīng)室通入惰性氣體以置換剩余氣體，同時(shí)降低反應(yīng)室的壓力為第一壓力，在惰性氣體通入過(guò)程中對(duì)外延生長(zhǎng)控制參數(shù)進(jìn)行調(diào)整；參數(shù)調(diào)整完畢后將反應(yīng)室內(nèi)的惰性氣體置換為氫氣，并升高反應(yīng)室的壓力至第二壓力進(jìn)行第二外延生長(zhǎng)；降低溫度并恢復(fù)到初始?jí)毫Γ@得碳化硅外延片。采用上述方法可以獲得不同摻雜類型、不同摻雜濃度的連續(xù)P型外延層或N型外延層，同時(shí)可以減少了外延片表面凹坑的產(chǎn)生，提高外延片的質(zhì)量。