一種碳化硅外延生長的控制方法及碳化硅外延片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011344467.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112466745B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN112466745B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃海林;馮淦;趙建輝 申請（專利權）人 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
代理機構 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 劉小勤
地址 361001福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號建業(yè)樓B座一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅外延生長的控制方法及碳化硅外延片，所述控制方法包括：將碳化硅襯底放入充滿氫氣的反應室，進行刻蝕；對反應室加熱通入生長源，進行第一外延生長；停止通入氫氣，將反應室內(nèi)的剩余氣體排出反應室，只向反應室通入惰性氣體以置換剩余氣體，同時降低反應室的壓力為第一壓力，在惰性氣體通入過程中對外延生長控制參數(shù)進行調(diào)整；參數(shù)調(diào)整完畢后將反應室內(nèi)的惰性氣體置換為氫氣，并升高反應室的壓力至第二壓力進行第二外延生長；降低溫度并恢復到初始壓力，獲得碳化硅外延片。采用上述方法可以獲得不同摻雜類型、不同摻雜濃度的連續(xù)P型外延層或N型外延層，同時可以減少了外延片表面凹坑的產(chǎn)生，提高外延片的質(zhì)量。