一種提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011420249.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112490117B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN112490117B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉杰;馮淦;趙建輝 申請（專利權(quán)）人 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小勤
地址 361001福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號建業(yè)樓B座一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法，包括清洗襯底置于反應(yīng)室內(nèi)的小盤上；將反應(yīng)室抽至真空，隨后通入氫氣，進(jìn)行恒溫刻蝕；采用線性緩變的方式在20～100s內(nèi)改變反應(yīng)室壓力、溫度，同時(shí)通入碳源、硅源，其中C/Si摩爾比由0漸變至0.80～1.10；采用線性緩變的方式在20～100s內(nèi)改變碳源流量和硅源流量，保持C/Si摩爾比不變；采用線性緩變的方式20～100s內(nèi)改變溫度、壓力、碳源流量以及硅源流量至目標(biāo)條件進(jìn)行外延薄膜生長直至目標(biāo)厚度等。采用本發(fā)明所述提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法，可以顯著降低外延薄膜的外延薄膜的晶體缺陷，其工藝控制簡潔，可操作性強(qiáng)，具有較好的運(yùn)用前景。