一種半導(dǎo)體摻雜層厚度無損檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110423512.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113140478A 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN113140478A 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃海林;馮淦;趙建輝;錢衛(wèi)寧;劉杰;梁瑞 申請（專利權(quán)）人 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小勤
地址 361001福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號建業(yè)樓B座一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種外延層厚度無損檢測方法，包括：獲得外延層的摻雜濃度；獲得反向偏置電壓值V：使用探針與外延層接觸，形成肖特基結(jié)，并對肖特基結(jié)施加逐步增大的反向偏置電壓，記錄下電流出現(xiàn)明顯變化時的反向偏置電壓值V；根據(jù)公式進(jìn)行計算，得到d值即為外延層厚度。本發(fā)明所述外延層厚度無損檢測方法，對于厚度在5微米以下的外延層，厚度檢測精度為0.01微米，且最小的檢測厚度為0.1微米，極大促進(jìn)了外延層檢測技術(shù)的拓展和準(zhǔn)確性，具有高精度、無損檢測的優(yōu)勢。