一種提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011420249.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112490117A | 公開（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112490117A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-12 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉杰;馮淦;趙建輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門市精誠新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉小勤 |
| 地址 | 361001福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號(hào)建業(yè)樓B座一層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法，包括清洗襯底置于反應(yīng)室內(nèi)的小盤上；將反應(yīng)室抽至真空，隨后通入氫氣，進(jìn)行恒溫刻蝕；采用線性緩變的方式在20～100s內(nèi)改變反應(yīng)室壓力、溫度，同時(shí)通入碳源、硅源，其中C/Si摩爾比由0漸變至0.80～1.10；采用線性緩變的方式在20～100s內(nèi)改變碳源流量和硅源流量，保持C/Si摩爾比不變；采用線性緩變的方式20～100s內(nèi)改變溫度、壓力、碳源流量以及硅源流量至目標(biāo)條件進(jìn)行外延薄膜生長直至目標(biāo)厚度等。采用本發(fā)明所述提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法，可以顯著降低外延薄膜的外延薄膜的晶體缺陷，其工藝控制簡潔，可操作性強(qiáng)，具有較好的運(yùn)用前景。?? |
