一種晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021246278.4 申請日 -
公開(公告)號 CN213327926U 公開(公告)日 2021-06-01
申請公布號 CN213327926U 申請公布日 2021-06-01
分類號 C30B15/20(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 胡治軍 申請(專利權(quán))人 安徽中晶光技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京聚匠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 盧強(qiáng)
地址 233010安徽省蚌埠市禹會區(qū)長征路220號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種晶體生長裝置,包括:外筒體、內(nèi)筒體和坩堝,外筒體的內(nèi)側(cè)壁頂部設(shè)有臺階,內(nèi)筒體設(shè)于外筒體內(nèi),內(nèi)筒體上方設(shè)有斗笠狀內(nèi)罩,斗笠狀內(nèi)罩底部邊緣設(shè)于外筒體的內(nèi)側(cè)壁頂部設(shè)置的臺階上,坩堝設(shè)于內(nèi)筒體內(nèi),斗笠狀內(nèi)罩頂部設(shè)有內(nèi)罩開口,內(nèi)罩開口內(nèi)設(shè)有籽晶桿,內(nèi)罩開口頂端設(shè)有內(nèi)罩蓋板,籽晶桿頂端與內(nèi)罩蓋板下表面固定連接,籽晶桿底端延伸至坩堝內(nèi),坩堝底部外側(cè)壁設(shè)有加熱電阻絲,坩堝底部與內(nèi)筒體內(nèi)部之間形成的空腔內(nèi)設(shè)有S形冷卻管,坩堝底部與內(nèi)筒體內(nèi)部之間形成的空腔內(nèi)還填充有保溫砂;本方案可以使得晶體生長的溫度場四周均衡和穩(wěn)定,能提高晶體成品率和降低晶體生長成本。??