一種晶體生長裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202021246278.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213327926U | 公開(公告)日 | 2021-06-01 |
申請公布號 | CN213327926U | 申請公布日 | 2021-06-01 |
分類號 | C30B15/20(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 胡治軍 | 申請(專利權(quán))人 | 安徽中晶光技術(shù)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京聚匠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 盧強(qiáng) |
地址 | 233010安徽省蚌埠市禹會區(qū)長征路220號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種晶體生長裝置,包括:外筒體、內(nèi)筒體和坩堝,外筒體的內(nèi)側(cè)壁頂部設(shè)有臺階,內(nèi)筒體設(shè)于外筒體內(nèi),內(nèi)筒體上方設(shè)有斗笠狀內(nèi)罩,斗笠狀內(nèi)罩底部邊緣設(shè)于外筒體的內(nèi)側(cè)壁頂部設(shè)置的臺階上,坩堝設(shè)于內(nèi)筒體內(nèi),斗笠狀內(nèi)罩頂部設(shè)有內(nèi)罩開口,內(nèi)罩開口內(nèi)設(shè)有籽晶桿,內(nèi)罩開口頂端設(shè)有內(nèi)罩蓋板,籽晶桿頂端與內(nèi)罩蓋板下表面固定連接,籽晶桿底端延伸至坩堝內(nèi),坩堝底部外側(cè)壁設(shè)有加熱電阻絲,坩堝底部與內(nèi)筒體內(nèi)部之間形成的空腔內(nèi)設(shè)有S形冷卻管,坩堝底部與內(nèi)筒體內(nèi)部之間形成的空腔內(nèi)還填充有保溫砂;本方案可以使得晶體生長的溫度場四周均衡和穩(wěn)定,能提高晶體成品率和降低晶體生長成本。?? |
