硅基光電探測(cè)器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710338792.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108878544A 公開(kāi)（公告）日 2018-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN108878544A 申請(qǐng)公布日 2018-11-23
分類號(hào) H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/108;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盛振;武愛(ài)民;仇超;趙瑛璇;高騰;甘甫烷;王曦 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海新微科技服務(wù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201800 上海市嘉定區(qū)菊?qǐng)@新區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢1048室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅基光電探測(cè)器及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一襯底，于所述襯底表面制作出叉指型金屬電極；2）于所述叉指型金屬電極之上覆蓋多晶硅層，并使得所述多晶硅層與所述叉指型金屬電極形成肖特基接觸；3）刻蝕所述多晶硅層，以形成露出叉指型金屬電極的接觸點(diǎn)的接觸窗；4）基于所述接觸窗制作接觸點(diǎn)引出的金屬焊盤(pán)。本發(fā)明采用多晶硅作為光敏層，而多晶硅置于叉指型金屬電極之上，不會(huì)受限于金屬電極對(duì)入射光的遮擋，從而顯著提高了光電探測(cè)的量子效率。本發(fā)明制作工藝無(wú)需摻雜，大大簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝及制造成本。本發(fā)明采用單面制作工藝，所制作的硅基光電探測(cè)器為平面型器件，具有電容小，響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)。