一種硅基單片紅外像素傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821551758.4 申請日 -
公開（公告）號 CN208923139U 公開（公告）日 2019-05-31
申請公布號 CN208923139U 申請公布日 2019-05-31
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪巍; 方青; 涂芝娟; 曾友宏; 蔡艷; 王慶; 王書曉; 余明斌 申請（專利權(quán)）人 上海新微科技服務(wù)有限公司
代理機構(gòu) 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉元霞
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N硅基單片紅外像素傳感器，該硅基單片紅外像素傳感器包括：硅基襯底11；位于硅基襯底11上的緩沖層12；以及位于緩沖層12上的紅外探測器13和晶體管14，其中，紅外探測器13采用鍺錫(GeSn)材料，緩沖層12厚度0.5～2微米，還包括，兼作抗反射層的保護層15，以促進紅外探測器13對紅外光的吸收。根據(jù)本申請，紅外探測器采用鍺錫(GeSn)材料制備，因此，能夠結(jié)合鍺錫(GeSn)材料在紅外波段的高響應(yīng)特性在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下，將光電探測器和晶體管集成在一個硅襯底中以形成單片紅外像素傳感器。