硅基光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201710338188.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN108873167B | 公開（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申請公布號 | CN108873167B | 申請公布日 | 2018-11-23 |
| 分類號 | G02B6/136(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 盛振;武愛民;仇超;趙瑛璇;高騰;甘甫烷;王曦 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海新微科技服務(wù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 羅泳文 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)環(huán)城路2222號1幢1048室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種硅基光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一SOI襯底，所述SOI襯底包括硅襯底、埋氧層以及頂層硅；2）刻蝕所述頂層硅以形成帶狀硅層；3）采用氧化工藝對所述帶狀硅層進(jìn)行氧化，以形成二氧化硅層包覆的亞微米量級的硅波導(dǎo)芯層；所述硅波導(dǎo)芯層的折射率高于周圍的二氧化硅層，使得光信號限制于硅波導(dǎo)芯層中傳輸，形成硅基光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過高溫氧化的方式來減小硅波導(dǎo)芯層的線寬，達(dá)到亞微米尺度，從而避免使用昂貴的高精度步進(jìn)式光刻設(shè)備；同時(shí)，采用的氧化工藝有助于減小硅波導(dǎo)側(cè)壁的粗糙度，從而降低傳輸損耗。?? |
