激光器與硅光芯片集成結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201821583235.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN209044108U 公開（公告）日 2019-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN209044108U 申請(qǐng)公布日 2019-06-28
分類號(hào) G02B6/42（2006.01）I; G02B6/122（2006.01）I; H01S5/30（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 蔡艷; 余明斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海新微科技服務(wù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201800 上海市嘉定區(qū)菊?qǐng)@新區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢1048室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種激光器與硅光芯片集成結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)包括：激光器芯片，所述激光器芯片包括第一波導(dǎo)；硅光芯片，所述硅光芯片包括第二波導(dǎo)，所述第二波導(dǎo)及所述第一波導(dǎo)將所述激光器芯片發(fā)出的光耦合至所述硅光芯片內(nèi)；所述第一波導(dǎo)包括依次一體連接的第一倒錐形波導(dǎo)部、矩形波導(dǎo)部及第二倒錐形波導(dǎo)部；所述第二波導(dǎo)包括第一氮化硅波導(dǎo)、第二氮化硅波導(dǎo)及硅波導(dǎo)；其中，所述第一氮化硅波導(dǎo)、所述第二氮化硅波導(dǎo)及所述硅波導(dǎo)均包括依次一體連接的第一倒錐形波導(dǎo)部、矩形波導(dǎo)部及第二倒錐形波導(dǎo)部。相比于現(xiàn)有技術(shù)中的端面耦合，本實(shí)用新型的耦合方式對(duì)倒裝焊過程中的對(duì)準(zhǔn)精度要求更低，即使在對(duì)準(zhǔn)有誤差的實(shí)際工藝條件下，仍然具有較高的耦合效率。